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致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的制备方法
发布时间:2018-07-17

【申请号】 CN200810010295.5

【申请日】 2008-01-31

【公开号】 CN101497524

【公开日】 2009-08-05

【申请人】 戴文斌 于景坤 王新丽

【地址】 110004辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号东北大学313信箱

【发明人】 戴文斌 于景坤 王新丽

【国省代码】 21

【摘要】 本发明是一种制备致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的方法。利用氧化镁作为稳定剂,采 用共沉淀法引入三氧化二铝,二氧化硅,氧化钙等添加物,合成纳米级/亚微米级粉末;然后 利用液相烧结在较低温度下加热制得致密的氧化锆陶瓷材料。本发明的主要特点是能够精确控制稳定剂和各种添加剂的含量,使它们非常均匀的分散,而且合成粉末的粒度均匀,粒径 小;在较低的烧结温度条件下,能够获得致密性良好的烧结体。本方法工艺简单,设备投资少,有利于工业化大规模生产。

【主权项】 1. 一种制备致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的方法,包括添加剂的种类,引入方法以及 添加量。其特征在于: 1)添加剂的种类:各种含铝、硅、钙等元素的物质,且它们溶解于水后呈中性或者酸性。 如Al(NO3)3·9H2O、Ca(NO3)2·4H2O、AlCl3、Na2SiF6或者CaCl2等。 2)添加剂引入方法:在共沉淀法合成纳米级/亚微米级粉体的过程中,加入各种添加剂, 使它们均匀分散。 3)添加量:要求添加剂各元素的氧化物在烧结体中的摩尔百分含量分别为Al2O3:0-6%, SiO2:0-5%;CaO:0-5%.

【页数】 6

【主分类号】 C04B35/48

【专利分类号】 C04B35/48


关键词:氧化镁 致密氧化镁
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