申请(专利)号：CN202610825760.9

申请日：2026-06-09

申请公布号：CN122522265A

申请公布日：2026-08-07

申请人：东北大学

地址：110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号

发明人：徐磊 刘丰源 刘书豪 陈敏

主分类号：C25B1/20

分类号：C25B1/20;C25B1/50;C25B9/23;C25B9/60;C01F5/14

代理机构：北京上璟知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：韩国胜

主权项：

1.一种利用低品位菱镁矿制备高纯氢氧化镁的方法,其特征在于：包括以下步骤：S1、以低品位菱镁矿为原料,破碎、球磨后干燥、过筛,得到≤200目的粉体;S2、将所得到的粉体送入煅烧设备进行煅烧,煅烧温度范围为600～900℃,保温时间范围为20～60min;S3、称取一定量煅烧后的物料,放入电解设备的阳极槽中,阳极槽和阴极槽分别加入一定浓度的电解液,通过阳离子交换膜将阳极槽和阴极槽分开,在恒定电流密度下连续电解,监测阳极电解液pH,电解过程中阴极槽不断生成氢氧化镁沉淀;S4、当阳极电解液pH≤2时,收集阴极槽的悬浊液,并向阳极槽内补充一定量轻烧产物和去离子水,监测阳极槽液固比,洗涤、过滤、干燥后得到高纯氢氧化镁粉体。

摘要：

本发明公开了一种利用低品位菱镁矿制备高纯氢氧化镁的方法,涉及矿产资源加工的技术领域,旨在解决现有低品位菱镁矿提纯工艺存在流程冗长、药剂消耗量大、废液难处理、回收率低且难以一步获得高纯纳米级氢氧化镁的问题,本发明以低品位菱镁矿为原料经轻烧后利用水溶液电解法一步制得高纯氢氧化镁粉体具体方法为：将处理后的矿粉进行轻烧处理,获得高活性轻烧氧化镁;将得到的轻烧氧化镁电解,过程中,轻烧氧化镁被阳极生成的H～+所溶解,释放出的Mg～(2+)随后在电场驱动下迁移至阴极槽,并在碱性环境下生成高纯度氢氧化镁沉淀,而SiO-2、CaO、Fe-2O-3等杂质成分以尾渣形式残留在阳极槽中。本发明的制备方法工艺简单,可实现连续化规模化生产。