2月28日，中国电科(山西)碳化硅材料产业基地举行投产仪式。

中国电科党组书记、董事长熊群力指出，中国电科(山西)电子信息科技创新产业园是中国电科围绕半导体材料、装备制造产业领域在晋的战略布局。

中国电科(山西)电子信息科技创新产业园项目包括“一个中心、三个基地”。“三个基地”即中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)能源产业基地。

其中，本次投产的中国电科(山西)碳化硅材料产业基地将建成国内最大的碳化硅(SiC)材料供应基地。中国电科(山西)碳化硅产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设，同年9月26日封顶，据此前山西综改示范区消息，一期项目建筑面积2.7万平方米，能容纳600台碳化硅单晶生产炉和18万片N型晶片的加工检测能力，可形成7.5万片的碳化硅晶片产能，将彻底解决国外对我国碳化硅封锁的局面，实现完全自主可供。项目投产后将成为中国前三、世界前十的碳化硅生产企业，可实现年产值10亿元。

由于大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率，碳化硅材料在众多战略行业具有重要的应用价值和广阔的应用前景。

自 2007 年，中国电科 2 所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势，潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。目前全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。